器件基本知识点
器件题目解析--降额
1哪项测试条件不属于瑞谷器件降额CLASSII范畴:
A)输入过压B)输入欠压C)输出过流D)输出满载
ANSWER:D
2正常工作下,稳压管功耗降额不能超过额定值:
A)20%B)30%C)40%D)50%
ANSWER:D
3正常工作下,放大器和比较器件输入电压降额:
A)45%B)55%C)75%D)85%
ANSWER:D
瑞谷器件降额CLASSICLASSII怎样划分?
器件题目解析--降额
4三极管VCE规格为V,极限情况下不得超过:
A)VB)VC)VD)V
ANSWER:C
5规格为V的功率MOS管,正常工作下,规范要求VDS不
超过:
A)VB)VC)VD)V
ANSWER:B
6规格为V10A1W度的功率MOS管,根据规范,正
常工作下,IDSS不超过,功耗不超过;温度不得超过;
A)7.5A0.8W℃;B)8.0A0.8W℃C)8.5A
0.8W℃
ANSWER:A
探讨:电压,电流,功率,温度降额重要性顺序?
器件题目解析--降额
7MOSFETVGS=20V,正常工作时电压不超过:
A)15VB)16VC)17VD)18V,
ANSWER:B
8MOSFETVGS=20V,极限工作条件下,不超过:
A)20VB)19VC)18VD)16V
ANSWER:B
VX7R电容,在电路中工作电压不得超过:
A)6VB)7VC)8VD)10V,
ANSWER:C
HW对我司X5R电容电压降额要求?
器件题目解析--降额
V和V铝电解电容,正常工作条件下,实际工作电压不
得超过:
A)70VVB)80VVC)70VVD)80VV
ANSWER:D
11规范要求:电解电容来料单体检测,在40℃,80%工作负载,
寿命需要满足:
A)2年B)3年C)5年D)10年,
ANSWER:D
12正常工作下,10V固体钽电容两端电压不得超过:
A)3VB)5VC)7VD)9V,
ANSWER:B
钽电容起火爆什么原因？极性没有反接，耐压是16V的，输入是
直流稳压12V,有时会出现起火爆炸，是什么原因？怎么解决?
器件题目解析--降额
13正常工作下,10V聚合物钽电容两端电压不得超过:
A)6VB)7VC)8VD)10V,
ANSWER:B
14固定电阻器（分立与SMD薄膜、厚膜与金属氧化膜）正
常工作条件下最大允许电压:
A)50%B)60%C)70%D)80%
ANSWER:C
15贴片电阻正常工作温度不得超过:
A)80℃B)℃C)℃D)℃
ANSWER:B
不同尺寸贴片电阻功率,工作电压,过载电压探讨?
器件题目解析--降额
16固定电阻器（分立与SMD薄膜、厚膜与金属氧化膜）,在极
限条件下,工作电压不超过,功率:
A)80%80%;B)80%90%;C)70%90%;D)80%70%;
ANSWER:A
17公司器件降额分为两个等级:CLASSI和CLASSII;CLASS
I;通常有输入电压,输出电压和输出电流三输入状态;其中
有一项异常属于:
A)CLASSIB)CLASSIIC)CLASSI和CLASSIID)
说不清
ANSWER:B
18ClassF,℃线材功率变压器,线材实际工作温度不得超
过:
A)℃B)℃C)℃D)℃
ANSWER:B
器件题目解析--光耦
1光耦CTR值与工作电流大小有关,额定输入控制电流
下,CTR较,远大于或远小于额定工作电流,CTR变:
A)大,小B)大,大C)小,小D)小,大
ANSWER:A
2光耦CTR值,在常温下CTR较,远大于或远小于常温,CTR
变:
A)大,小B)大,大C)小,小D)小,大
ANSWER:A
3光耦属于安规器件,我司一次电源光耦器件耐压,一般都大于:
A)0VB)0VC)VD)0V
ANSWER:D
为什么光耦耐温在半导体器件里算比较差的?
器件题目解析—稳压管
1一般小电压稳压管为:
A)齐纳击穿B)雪崩击穿C)能量击穿D)其他
ANSWER:A
2高电压稳压管为:
A)齐纳击穿B)雪崩击穿C)能量击穿D)其他
ANSWER:B
33.3V稳压管,12V稳压管为:
A)齐纳击穿雪崩击穿B)雪崩击穿齐纳击穿C)其他
ANSWER:A
为什么稳压管很难做到V以上稳压值?
器件题目解析—热敏电阻
1正温度热敏电阻为;负温度热敏电阻为;
A)PTCNTCB)NTCPTCC)其他
ANSWER:A
2一般情况,与被保护电路串联;与被保护器件并联:
A)PTCNTCB)NTCPTCC)其他
ANSWER:B
为什么许多电器设备断电后,需要等待几分钟才能再开机?
器件题目解析—运算放大器
1运算放大器解释:同相输入端与反相输入端的电位十分接近,
近似相等:
A)虚短:B)虚断:C)其他
ANSWER:A
2运算放大器解释:由于运放的输入电阻一般都在几百千欧,流
入运放的电流往往可以忽略:
A)虚短:B)虚断:C)其他
ANSWER:A
3运算放大器是针对电流,是针对电压而言;
A)虚短虚断B)虚断虚短C)其他
ANSWER:B
运放器与比较器应用有何差异?
器件题目解析—MOSFET
1MOSFET是型器件;
A)电流B)电压C)其他
ANSWER:B
2MOSFET有三极,其中漏极,源极,栅极符号分别表示为;
A)DSGB)SDGC)DGSC)SGD
ANSWER:A
讨论:列举功率MOSFET前四项最重要的电性参数?
器件题目解析—电解电容
1电解电容常在什么频率条件下测试容量:
A)HZ/HZB)0HZC)KHZC)0KHZ
ANSWER:A
2电解电容容值,DF和漏电流随温度上升而分别:
A)增大,增小,增大B)增大,增大,增小C)增小,增大,增大
C)其他
ANSWER:A
讨论:如果你想替代电解电容,需要对替代料哪些参数进行评估,
测试?
器件题目解析—压敏电阻
1压敏电阻一般与被保护器件;
A)串联B)并联C)串并联都可
ANSWER:B
2压敏电阻压敏电压UN是在多大电流检测的:
A)0.1mAB)1mAC)10mAD)1A
ANSWER:B
3压敏电阻K,它的最大可持续直流电压V,持续交流电压是
A)VacB)VacC)VacD)Vac
ANSWER:C
讨论:
1.压敏电阻UN,UAC,UDC,UP区别?
2.我司压敏选型有什么要求?
3.STE-14DK含义?
器件题目解析—钽电容
1钽电容包括聚合物钽电容(A)与二氧化锰钽电容(B);安全性分
析:
A)相同B)A优C)B优D)都易爆炸
ANSWER:B
2钽电容包括聚合物钽电容(A)与二氧化锰钽电容(B);A和B正常
工作电压降额:
A)0.5,0.5B)0.6,0.6C)0.7,0.5D)0.8,0.6
ANSWER:C
讨论:钽电容的优越性及弊端?
器件题目解析—电阻
1金膜电阻额定工作额定温度是度,超过额定温度务必降额
计算使用;
A)40B)50C)70D)80
ANSWER:C
2碳膜电阻是度;超过额定温度务必降额计算使用;
A)40B)50C)70D)80
ANSWER:A
3电阻短时间过负荷电压是倍额定电压秒时间,放置后器
件符合要求;
A)4,10B)2.5,60C)2.5,5D)2,3
ANSWER:C
器件题目解析—放电管
1放电管一般有一脚对地,便于对大地泄放能量;在电路中可以:
A)并联B)串联C)串并联D)其他
ANSWER:B
2固体放电管(A),TVS管(B),气体放电管(C),响应速度快慢顺序:
A)ABCB)BACC)BCAD)CAB
ANSWER:A
3对于某型号开关电源,开关管因瞬态电压应力太高而损坏,如
在输入端整流前部分增加保护器件,下面方案最佳的是:
A)TVSB)压敏C)TVS和压敏
ANSWER:B
讨论:固态放电管,汽态放电管,TVS管,压敏电阻特性及应用
区别?